建設(shè)單位：華虹無錫半導體
項目地點：江蘇省無錫市
服務(wù)內(nèi)容：深化設(shè)計
項目投資：100億美元（一期25億美元）
建設(shè)規(guī)模：總用地面積466485㎡；一期建筑面積63222㎡；一期潔凈室面積32450㎡
建設(shè)周期：2018-2019
項目產(chǎn)品：12英寸芯片（90-65nm）
項目產(chǎn)能：40K片/月
